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存储价稳,铜价震荡,半导体产业链承压“上顶下托”

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短期来看,铜价高位震荡与存储产品涨价滞后的矛盾将持续挤压厂商利润空间,行业或迎来新一轮洗牌。中长期而言,半导体与新能源产业的深度融合将催生新的需求增长点:AI芯片集成度提升带动高密度封装铜箔需求,新能源汽车智能化趋势推动车规级存储芯片用量倍增。

近期存储市场呈现“现货价格高位盘整、成本倒挂压力加剧”的复杂格局。TrendForce集邦咨询数据显示,DDR4、DDR5模组价格连续多日小幅上涨,金士顿等头部厂商本周再度上调DRAM报价,但NAND闪存现货市场因供应商惜售策略,晶圆价格持续攀升,部分存储成品已陷入“成本涨幅超成品提价”的倒挂困境。这一现象折射出半导体产业链上游原材料成本传导的滞后性,以及全球供应链韧性面临的新考验。 

价波动加剧存储产业链成本压力

存储芯片制造高度依赖铜材作为电路基材,铜箔作为导电层核心材料,其价格波动直接影响生产成本。根据长江有色金属网监测,2025年12月4.5μm锂电铜箔均价触及127,500元/吨,显著上涨,成本传导效率不足导致企业毛利率承压。印尼镍钴冶炼项目因基础设施延迟投产,加剧铜箔原料供应紧张,存储厂商采购成本持续攀升。 

供需错配下的市场博弈

存储市场当前呈现“结构性短缺”特征:AI服务器、自动驾驶等领域对高阶存储需求激增,但传统消费电子需求疲软导致产能分配失衡。尽管TrendForce预测2026年全球DRAM产能将增长12%,但极薄化、高频高速铜箔产能扩张滞后,制约高端存储产品交付能力。现货市场出现“中间商抛售库存、厂商囤货待涨”的博弈局面,DDR5模组现货溢价率扩大至15%,而NAND晶圆因供应商惜售,实际成交价较合约价高出8%-10%。 

技术迭代与政策干预重塑行业格局

半导体产业向3nm以下制程推进,推动铜箔向超薄化、高纯度方向升级。台积电3nm工艺铜箔线宽需控制在15μm以内,对铜箔平整度、抗拉强度提出更高要求。与此同时,欧盟碳边境调节机制(CBAM)全面实施,要求出口存储产品需通过绿电铜箔认证,再生铜箔使用比例不得低于30%,倒逼企业加速技术改造。 

后市展望:成本压力倒逼产业链协同

短期来看,铜价高位震荡与存储产品涨价滞后的矛盾将持续挤压厂商利润空间,行业或迎来新一轮洗牌。中长期而言,半导体与新能源产业的深度融合将催生新的需求增长点:AI芯片集成度提升带动高密度封装铜箔需求,新能源汽车智能化趋势推动车规级存储芯片用量倍增。

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